2012 ECSCRM在俄羅斯圣彼得堡于9月2日至9月6日舉行, 來自26個(gè)國家超過500位參會(huì)人員參加了這次會(huì)議。

    該會(huì)議主要是討論關(guān)于碳化硅(SiC)和其他相關(guān)材料國際上的最新進(jìn)展，內(nèi)容包括晶體及外延生長、表征和控制材料性質(zhì)、新的研究結(jié)果與晶片生產(chǎn)流程、設(shè)備制造技術(shù)和設(shè)備的應(yīng)用程序。

目標(biāo)是促進(jìn)碳化硅產(chǎn)業(yè)及相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展。

    此次會(huì)議由公司總經(jīng)理李錫光帶隊(duì)，期間展示了公司最新的研發(fā)成果，并與國際上知名企業(yè)和專家進(jìn)行了交流，產(chǎn)品得到業(yè)界的充分認(rèn)可。

 圖1：會(huì)議現(xiàn)場

圖2：參會(huì)人員（李總、孫老師等人）