專注碳化硅 (SiC) 外延片研發(fā)與生產(chǎn)13年
全球碳化硅外延片主要生產(chǎn)商
發(fā)布時(shí)間：2013-02-20 09:58:56 人氣： 來源：
2013年2月，公司已經(jīng)成功完成對(duì)P型外延層的研發(fā)。已經(jīng)可以向客戶提供P型外延片及P型外延層生長(zhǎng)。
摻雜元素Al；
外延厚度0.5~5um，容差±10%，均勻性3%；
摻雜濃度5E15~1E19cm-3，容差±15%，均勻性10%。
