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專注碳化硅 (SiC) 外延片研發(fā)與生產(chǎn)13年
全球碳化硅外延片主要生產(chǎn)商
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碳化硅外延晶片

提供4寸、6寸外延晶片制作(600V~3300V)功率器件包括SBD 、JBS、PiN、MOSFET、 JFET 、BJT 、GTO、 IGBT等。

產(chǎn)品介紹

碳化硅外延晶片


提供6寸/8寸外延晶片,制作(600V~3300V)功率器件包括SBD 、JBSMOSFET、 IGBT等。

改-天域畫冊-0510-(定稿)-53.jpg



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