2011年6月，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料和器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化創(chuàng)新科研團(tuán)隊(duì)獲批。

團(tuán)隊(duì)帶頭人王占國，中國科學(xué)院院士，半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家。核心成員由6名研究院組成。研究方向?yàn)榈谌鷮捊麕蓟瑁⊿iC）半導(dǎo)體外延材料及器件產(chǎn)業(yè)化，包括SiC外料材料產(chǎn)業(yè)化、器件材料生長技術(shù)、外延設(shè)備研制、外延材料檢測與標(biāo)準(zhǔn)化以及器件工藝技術(shù)等5個(gè)項(xiàng)目。曾申請相關(guān)專利23項(xiàng)，授權(quán)專利15項(xiàng)，擁有SiC外延等核心技術(shù)9項(xiàng)，發(fā)表SCI和EI論文40余篇。