專注碳化硅 (SiC) 外延片研發(fā)與生產(chǎn)13年
全球碳化硅外延片主要生產(chǎn)商
廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司成立于2009年，是我國(guó)最早實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)，也是國(guó)內(nèi)第一家獲得汽車質(zhì)量認(rèn)證(IATF 16949)的碳化硅半導(dǎo)體材料企業(yè)。
經(jīng)過十余年的技術(shù)積累沉淀，公司已發(fā)展成為全球碳化硅外延片的主要供應(yīng)商，在產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)和客戶器件良率等方面已達(dá)國(guó)際領(lǐng)先水平，是我國(guó)碳化硅領(lǐng)域少數(shù)具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)之一。公司擁有國(guó)際最頂尖的碳化硅外延設(shè)備，憑借先進(jìn)的外延工藝為客戶提供N型、P型摻雜半導(dǎo)體材料，可制作650V~3300V、3300V~20000V單極和雙極功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等，這些功率器件廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)電源等領(lǐng)域。
公司宗旨：促進(jìn)第三代（寬禁帶）半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，成為全球碳化硅外延片的主要生產(chǎn)商之一，以先進(jìn)的碳化硅外延生長(zhǎng)技術(shù)為客戶提供優(yōu)良產(chǎn)品和服務(wù)。
專業(yè)團(tuán)隊(duì)
公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)的基礎(chǔ)是2011年引進(jìn)的以王占國(guó)院士為首的7名中科院半導(dǎo)體所研究員所組成的廣東省創(chuàng)新科研團(tuán)隊(duì)。多年來，公司自主培養(yǎng)了一支高水平研發(fā)團(tuán)隊(duì)，團(tuán)隊(duì)成員分別來自于西安電子科技大學(xué)，北京大學(xué)，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)，香港大學(xué)等知名院校。
目前，公司通過加強(qiáng)產(chǎn)、學(xué)、研合作，建有中科院半導(dǎo)體所-天域碳化硅技術(shù)研究院、與廈門大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)碩博研究生、西安交通大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)博士后，設(shè)立廣東省博士后創(chuàng)新實(shí)踐基地，吸引和培育高層次人才。依托3個(gè)省級(jí)工程研究中心（廣東省工程研究中心、廣東省工程技術(shù)研究中心、廣東省博士工作站）以及東莞松山湖企業(yè)研發(fā)機(jī)構(gòu)的技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)，提高研發(fā)團(tuán)隊(duì)的研發(fā)水平。
（1）標(biāo)準(zhǔn)化工作
天域是SiC外延行業(yè)的引領(lǐng)者，制定SiC半導(dǎo)體相關(guān)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)1項(xiàng)，國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)11項(xiàng)，團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)12項(xiàng)、企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)4項(xiàng)，累計(jì)承擔(dān)或參與國(guó)家、省、市各級(jí)科研科技項(xiàng)目9項(xiàng)。
（2）知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)
公司擁有SiC外延全套核心技術(shù)，均為自主研發(fā)，作為保護(hù)，申請(qǐng)專利70余項(xiàng)；累計(jì)發(fā)表高水平論文20余篇。
（3）體系認(rèn)證
獲得ISO45001、ISO14001及TS/IATF-16949汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證。
（4）重要技術(shù)突破
公司堅(jiān)持自主科技創(chuàng)新的發(fā)展理念，天域半導(dǎo)體在4H-SiC外延材料產(chǎn)業(yè)化、器件結(jié)構(gòu)材料生長(zhǎng)技術(shù)、外延材料檢測(cè)分析與標(biāo)準(zhǔn)化等方面開展了深入系統(tǒng)的研發(fā)工作，突破了n、p型原位摻雜與控制技術(shù)、快速外延及厚膜生長(zhǎng)技術(shù)、實(shí)現(xiàn)了4、6英寸4H-SiC外延晶片全系列產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。
與此同時(shí)，公司也已提前布局國(guó)內(nèi)8英寸SiC外延晶片工藝線的建設(shè)，目前正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關(guān)鍵技術(shù)。
? 國(guó)內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)6英寸外延晶片量產(chǎn)
? 20 kV級(jí)以上的厚外延生長(zhǎng)實(shí)現(xiàn)
? 緩變結(jié)、陡變結(jié)等n/p型界面控制技術(shù)
? 多層連續(xù)外延生長(zhǎng)技術(shù)
