2018年11月20日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（簡稱“CASA“）發(fā)布三項聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)T/CASA 003-2018 《p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片》、T/CASA004.1 《4H碳化硅襯底及外延層缺陷術(shù)語》、T/CASA004.2 《4H-SiC襯底及外延層缺陷圖譜》。三項標(biāo)準(zhǔn)由東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司技術(shù)總監(jiān)孫國勝牽頭，按照CASA標(biāo)準(zhǔn)制定程序（立項、征求意見稿、委員會草案、發(fā)布稿），反復(fù)斟酌、修改、編制而成。標(biāo)準(zhǔn)的制定得到了很多CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會正式成員的支持。

標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位包括：東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、株洲中車時代電氣股份有限公司、山東天岳晶體材料有限公司、中國科學(xué)院微電子研究所、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、山東大學(xué)、臺州一能科技有限公司、中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所、深圳第三代半導(dǎo)體研究院。
 
       T/CASA 003-2018《p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片》規(guī)定了4H碳化硅外延晶片的分類和標(biāo)記、要求、試驗方法、檢測規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運輸和儲存。附錄部分詳細(xì)說明了采用光學(xué)成像方法快速獲取4H-SiC外延片樣品表面的缺陷、利用原子力顯微鏡獲取表面粗糙度，并詳細(xì)說明了外延層的厚度與摻雜濃度檢測方法。
 
       T/CASA004.1-2018《4H碳化硅襯底及外延層缺陷術(shù)語》規(guī)定了4H碳化硅襯底及外延層缺陷術(shù)語和定義，其中包括4H-SiC材料、缺陷共性用語、襯底缺陷、外延層缺陷以及工藝缺陷五部分，其中工藝缺陷包括拋光（CMP）、離子注入、高溫退火與氧化等相關(guān)工藝產(chǎn)生的缺陷。
 
       T/CASA004.2-2018《4H-SiC襯底及外延層缺陷圖譜》標(biāo)準(zhǔn)闡述了4H-SiC襯底及外延缺陷的圖譜，其中包括4H-SiC襯底缺陷、外延缺陷以及工藝產(chǎn)生的缺陷；給出了4H碳化硅（4H-SiC）襯底及外延層的主要缺陷、工藝與加工缺陷等方面的形貌特征圖譜，說明了缺陷的特點、性質(zhì)及其對外延生長或器件特征參數(shù)的影響，分析了產(chǎn)生的原因及消除方法，并進(jìn)行了分類。

       襯底缺陷包括位錯、層錯、微管、碳包裹體、晶型包裹體、雙Shockley型堆垛層錯、螺位錯、刃位錯、基晶面位錯、小角晶界、劃痕、CMP隱含劃痕；
外延缺陷包括表面形貌缺陷、掉落顆粒物、三角形缺陷、彗星缺陷、胡蘿卜缺陷、直線型缺陷、小坑缺陷、梯形缺陷、臺階缺陷、外延凸起、乳凸、界面位錯、原生型層錯、不全位錯、半環(huán)列陣、點缺陷、碳空位、外延層螺位錯、外延層刃位錯、外延層基晶面位錯；
工藝缺陷方面高溫退火缺陷、氧化缺陷、電應(yīng)力誘導(dǎo)缺陷、電應(yīng)力誘導(dǎo)三角形層錯、電應(yīng)力誘導(dǎo)條形層錯、干法刻蝕缺陷。
 
       CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會將圍繞科技創(chuàng)新、標(biāo)準(zhǔn)研制與產(chǎn)業(yè)發(fā)展協(xié)同機(jī)制，探索以科研研發(fā)提升技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)水平、以技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)促進(jìn)科技成果轉(zhuǎn)化應(yīng)用新模式，發(fā)揮聯(lián)盟優(yōu)勢，促進(jìn)創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實生產(chǎn)力，引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推進(jìn)第三代半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)化，提高我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體競爭力。
 

CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會已經(jīng)發(fā)布《第三代半導(dǎo)體電力電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)體系報告》、《第三代半導(dǎo)體電力電子產(chǎn)業(yè)測試條件和能力報告》、聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)T/CASA001-2018《SiC肖特基勢壘二極管通用技術(shù)規(guī)范》、聯(lián)盟技術(shù)報告T/CASA/TR 001-2018 《SiC器件在DC/DC充電模塊應(yīng)用技術(shù)報告》、T/CASA 003-2018 《p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片》、T/CASA004.1-2018 《4H碳化硅襯底及外延層缺陷術(shù)語》、T/CASA004.2-2018 《4H-SiC襯底及外延層缺陷圖譜》等，正在制定中的聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)包括T/CASA002-201X 《寬禁帶半導(dǎo)體術(shù)語標(biāo)準(zhǔn)》、T/CASA005-201X 《GaN HEMT電力電子器件通用技術(shù)規(guī)范》、T/CASA006-201X 《碳化硅金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管通用技術(shù)規(guī)范》、T/CASA007-201X 《電動汽車用SiC MOS模塊評測》等。

原文鏈接：http://www.casa-china.cn/a/research/standard/